日本生產工程權威獎項得主力作，圖解與表格詳實，帶領工程師掌握半導體乾蝕刻技術的全貌，提升現場即戰力。

◎作者於1989年，以「有磁場微波電漿蝕刻技術的開發與實用化」受獎大河內紀念賞。1994年，以「低溫乾蝕刻設備的開發」受獎機械振興協會賞通產大臣賞。
◎圖解乾蝕刻技術的原理與實務，讓你一讀即懂。
◎由製程直到設備、新技術，更進一步設置有關電漿損傷的章節，以便理解全貌並了解乾蝕刻今後的課題與展望。

針對半導體乾蝕刻技術涉及的電漿物理、化學、材料、電磁等複雜現象，循序解析，詳解各環節的連帶影響，提升現場即時應變的作戰能力，為優秀工程師養成必備的工具書！

非等向性蝕刻是如何實現？為何Si的蝕刻使用Cl2及HBr，而SiO2的蝕刻則使用氟碳系列的氣體？為何Poly-Si及Al的蝕刻使用ICP（電感耦合式電漿）之類的高密度電漿，而SiO2的蝕刻則使用中密度電漿於間距狹窄的平行板型蝕刻機？

本書告訴你這些連現場資深乾蝕刻工程師都不見得充分理解的知識。

從乾蝕刻技術的基礎講到應用，讓初學者容易理解與整理；對於已有程度、經驗的工程師而言，讀之更加能理解、掌握乾蝕刻技術的全貌。

作者簡介：

野尻一男（Nojiri Kazuo）

　　■1973年　群馬大學工學部電子工學科畢業。

　　■1975年　群馬大學大學院工學研究科碩士課程修畢。

　　■1975年　進入日立製作所。在半導體事業部從事CVD、元件整合、乾蝕刻的研究開發。尤其是關於ECR電漿蝕刻、充電損傷，進行先驅的研究。而且擔任技術開發的領導，歷任許多經理職務。

　　■2000年　進入Lam Research公司擔任董事‧CTO至今。

　　主要受獎

　　■1989年　以「有磁場微波電漿蝕刻技術的開發與實用化」受獎大河內紀念賞。

　　■1994年　以「低溫乾蝕刻設備的開發」受獎機械振興協會賞通產大臣賞。

　　主要著作

　　《先端電氣化學》（丸善）共著

　　《半導體プロセスにおけるチャージング･ダメージ》(リアライズ社）共著

譯者簡介：

倪志榮（Ni, Chih-Jung)

　　■1988年　國立清華大學畢業

　　■1991年　中日交流協會留日獎學生

　　■1993年　日本東京大學工學院碩士

　　■2014年　中部科學園區模範勞工

　　■曾任地球村美日語中心日語講師

　　現職華邦電子公司模組技術發展部經理，從事DRAM與Flash的製程研發。