<內容簡介>

    康松默著的《CMOS數字集成電路--分析與設計(第4版)》詳細講述了CMOS數字集成電路的相關內容，在第三版的基礎上增加了新的內容和章節，提供了反映現代技術發展水平和電路設計的最新資料。全書共15章。第1章至第8章詳細討論MOS晶體管的相關特性和工作原理、基本反相器電路設計、組合邏輯電路及時序邏輯電路的結構與工作原理；第9章至第13章主要介紹應用於先進VLSI芯片設計的動態邏輯電路、先進的半導體存儲電路、低功耗CMOS邏輯電路、數字運算和轉換電路、芯片的I/O設計；第14章和第15章分別討論電路的可製造性設計和可測試性設計這兩個重要問題。
    本書是現代數字集成電路設計的理想教材和參考書，可供與集成電路設計領域有關的各電類專業的本科生和研究生使用，也可供從事集成電路設計、數字系統設計和VLSI設計等領域的工程師參考。

<作者介紹>

(美)康松默|譯者:王志功//竇建華
    康松默(Sung-Mo Kang)，加州大學伯克利分校獲得電子工程博士學位。目前在巴斯肯工學院（Baskin school of engineering ）任系主任，兼任聖克魯斯加州大學（University of california santa cruz）電子工程系教授。他還是IEEE超大規模集成電路（VLSI）系統學報的總編輯及創刊人，IEEE及諸多國際性期刊的編委會委員，IEEE、和AAAS成員。曾獲IEEE Mhird Millennium獎，IEEE研究生教育技術領域獎，加州大學伯克利分校傑出校友獎，RSC卓越技術獎，IEEE電路與系統協會技術成就獎，美國洪堡（Alexander von humboldt U.S.）高級科學家獎，IEEE電路與系統分會達靈頓（CAS Dariington）論文獎，KBS獎，以及諸多最佳論文獎。

<章節目錄>

第1章  概論
  1.1  發展歷史
  1.2  本書的目標和結構
  1.3  電路設計舉例
  1.4  VLSI設計方法綜述
  1.5  VLSI設計流程
  1.6  設計分層
  1.7  規範化、模塊化和本地化的概念
  1.8  VLSI的設計風格
  1.9  設計質量
  1.10  封裝技術
  1.11  電腦輔助設計技術
  習題
第2章  MOS場效應管的製造
  2.1  概述
  2.2  製造工藝的基本步驟
  2.3  CMOSn阱工藝
  2.4  CMOS技術的發展
  2.5  版圖設計規則
  2.6  全定製掩膜版圖設計
  習題
第3章  MOS晶體管
  3.1  金屬-氧化物-半導體(MOS)結構
  3.2  外部偏置下的MOS系統
  3.3  MOS場效應管(MOSFET)的結構和作用
  3.4  MOSFET的電流-電壓特性
  3.5  MOSFET的收縮和小尺寸效應
  3.6  MOSFET電容
  習題
第4章  用SPICE進行MOS管建模
  4.1  概述
  4.2  基本概念
  4.3  一級模型方程
  4.4  二級模型方程
  4.5  三級模型方程
  4.6  先進的MOSFET模型
  4.7  電容模型
  4.8  SPICEMOSFET模型的比較
  附錄  典型SPICE模型參數
  習題
第5章  MOS反相器的靜態特性
  5.1  概述
  5.2  電阻負載型反相器
  5.3  MOSFET負載反相器
  5.4  CMOS反相器
  附錄  小尺寸器件CMOS反相器的尺寸設計趨勢
  習題
第6章  MOS反相器的開關特性和體效應
  6.1  概述
  6.2  延遲時間的定義

  6.3  延遲時間的計算
  6.4  延遲限制下的反相器設計
  6.5  互連線電容的估算
  6.6  互連線延遲的計算
  6.7  CMOS反相器的開關功耗
  附錄  超級緩衝器的設計
  習題
第7章  組合MOS邏輯電路
  7.1  概述
  7.2  帶偽nMOS(pMOS)負載的MOS邏輯電路
  7.3  CMOS邏輯電路
  7.4  複雜邏輯電路
  7.5  CMOS傳輸門
  習題
第8章  時序MOS邏輯電路
  8.1  概述
  8.2  雙穩態元件的特性
  8.3  SR鎖存電路
  8.4  鍾控鎖存器和觸發器電路
  8.5  鍾控存儲器的時間相關參數
  8.6  CMOS的D鎖存器和邊沿觸發器
  8.7  基於脈衝鎖存器的鍾控存儲器
  8.8  基