電子材料工程, 3/e | 拾書所

電子材料工程, 3/e

$ 378 元 原價 420

<內容簡介>

  

通信、資訊、電腦及自動控制等領域不只在生產界也廣泛的在社會各階層使用。這些技術的支援者就是電子材料與光電材料。此乃因材料技術之進步所帶動的應用領域。本書內容仍對電力、機電與一般Si半導體為對象的基礎物性理論割愛,僅就電子材料之領域介紹。

 


<章節目錄>

  

第一章 固體的物性

1.1 構造的表現方式

1.2 化學結合與晶體

1.3 最緊密構造與晶體構造

1.4 晶格能量

1.5 代表性無機化合物的晶體構造

1.6 原子集體與電子帶

1.7 晶體的週期能位與能帶構造

  

第二章 介質體的性質

2.1 巨視性質

 

第三章 鐵電性材料

3.1 鐵電材料之性質

3.2 壓電陶瓷材料

 

第四章 壓電陶瓷

4.1 壓電性

4.2 壓電效果與壓電基本方程式

4.3 機電耦合係數

4.4 壓電振盪子的等值電路與各常數

 

第五章 壓電陶瓷的應用

5.1 瓦斯點火裝置

5.2 超音波振盪子

5.3 超音波洗淨機

5.4 麥克風與喇叭

5.5 壓電電驛(relay)

5.6 加濕器

5.7 超音波加工機

 

第六章 真空蒸鍍法

6.1 序言

6.2 基本公式

 

第七章 Sputtering法

7.1 序言

7.2 Sputtering法的基本

7.3 sputtering裝置之基本(二極直流sputtering)

7.4 RF sputtering法

7.5 magnetron sputtering

 

第八章 薄膜基本特性及其形成原因

8.1 決定薄膜基本性質的微細構造

8.2 微細構造與基本性質之關係

8.3 內部應力

8.4 薄膜的成長過程

8.5 達到基板的各種粒子束

8.6 基板溫度、反跳氬氣之效果與瓦斯壓之影響

8.7 薄膜的組成控制

 

第九章 積體電路半導體元件的 基本常識

9.1 pn接合

9.2 雙極性電晶體(Bipolar Transistor)

9.3 MOS電晶體之概念

9.4 積體電路使用的被動元件

 

第十章 積體電路元件之製程技術

10.1 使用Si結晶之原因

10.2 氧化、擴散與離子注入技術

10.3 微細圖案形成的lithography技術

10.4 蝕刻技術

10.5 薄膜堆積技術

 

第十一章 積體電路之製造工程

11.1 明瞭積體電路之基本構造

11.2 雙極電晶體之積體電路作法

11.3 n通道MOS電晶體構造(以圖11-5為例)之說明

 

第十二章 MOS電晶體之 threshold電壓

12.1  為負(形成累積層)

12.2  為正(形成空乏層)

12.3  為正且大

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