電子學分類題庫第二輯 (共608頁、664題)
第六章 FET元件
6-1 結構與剖面圖
(一) 增強型NMOS方面
(二) 增強型PMOS方面
(三) CMOS方面
(四) CMOS製程的元件
(五) 綜合問題
6-2 特性方程式與基本特性
(一) 電壓電流特性方程式的推導
(二) 通道長度調變效應
(三) 本體效應（基板效應）
(四) 通道臨界電壓問題
(五) PMOS與NMOS的特性比較
(六) 增強型MOS的觀念
(七) 溫度效應
(八) 其他特性
6-3 有內建通道的FET
(一) 空乏型MOSFET方面
(二) JFET方面
6-4 FET的小信號模型
(一) 中低頻帶方面
(二) 高頻帶方面
6-5 FET與BJT的元件特性比較
(一) 電流或物理機制比較
(二) 小信號或交流方面的比較
(三) 綜合比較
6-6 綜合性問題
第七章 FET分立式電路
7-1 偏壓分析與設計
(一) 原始結構與基本概念
(二) 一個MOS二極體的偏壓
(三) 兩個MOS二極體的偏壓
(四) 三個MOS二極體的偏壓
(五) 源極負回授的偏壓
(六) 四電阻偏壓法
(七) 汲極負回授與CMOS偏壓
(八) 三極管區的偏壓問題
(九) 串疊的偏壓分析
(十) 其他的偏壓分析
7-2 共源放大器電路
(一) 原始偏壓的共源放大器
(二) 電流源偏壓的共源放大器
(三) 正負電源偏壓的共源放大器
(四) 四電阻偏壓的共源放大器
7-3 源極退化共源放大器&