《寬禁帶半導體高頻及微波功率器件與電路》重點介紹了SiC和GaN寬禁帶半導體高頻開關和微波功率器件與電路的新進展與實用製備技術。
《寬禁帶半導體高頻及微波功率器件與電路》共5章：章介紹電力電子和固態微波器件的發展及其在雷達領域的應用；第2章介紹SiC和GaN寬禁帶半導體材料，包括SiC和GaN單晶、SiC的同質外延生長、GaN的異質外延生長；第3章介紹SiC高頻功率器件，包括SiC功率二極體、SiC MESFET、SiC MOSFET、SiC JFET、SiC BJT、SiC IGBT和SiC GTO；第4章介紹GaN微波功率器件與電路，包括GaNHEMT、GaN MMIC、E模GaN HEMT和N極性GaN HEMT；第5章介紹正在發展中的固態新型器件，包括太赫茲器件、金剛石器件和二維材料器件。
《寬禁帶半導體高頻及微波功率器件與電路》可供從事寬禁帶半導體和雷達、通信、電子對抗以及電力電子應用等領域的科研人員參考。
《寬禁帶半導體高頻及微波功率器件與電路》共5章：章介紹電力電子和固態微波器件的發展及其在雷達領域的應用；第2章介紹SiC和GaN寬禁帶半導體材料，包括SiC和GaN單晶、SiC的同質外延生長、GaN的異質外延生長；第3章介紹SiC高頻功率器件，包括SiC功率二極體、SiC MESFET、SiC MOSFET、SiC JFET、SiC BJT、SiC IGBT和SiC GTO；第4章介紹GaN微波功率器件與電路，包括GaNHEMT、GaN MMIC、E模GaN HEMT和N極性GaN HEMT；第5章介紹正在發展中的固態新型器件，包括太赫茲器件、金剛石器件和二維材料器件。
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