Power(大功率)MOSFET/IGBT應用設計技術 | 拾書所

Power(大功率)MOSFET/IGBT應用設計技術

$ 306 元 原價 340

Power MOSFET (Power Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:大功率金屬氧化物半導體場效電晶體)已成為大功率元件(Power Device)的主流,在市場上居主導地位。


本 書是以今後有志學習Power MOSFET及IGBT並實際從事電路設計的技術人員為對象而編寫的,第1~4章鮮說元件之分類、動作原理、規格書(Data Sheet)之閱讀法、特性改善以及應用技術等。

 

此外,本書在適當處插入設計練習題,建議讀者藉著練習題來實際體驗規格書(Data Sheet)之閱讀方法。第5章介紹不同領域之應用電路例,但不作系統整體之說明,其目的是加深對MOSFET及IGBT之理解,並提供讀者電路設計之入門概念資料。

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