日本生產工程權威獎項得主力作，圖解與表格詳實，帶領工程師掌握半導體乾蝕刻技術的全貌，提升現場即戰力。
◎作者於1989年，以「有磁場微波電漿蝕刻技術的開發與實用化」受獎大河內紀念賞。1994年，以「低溫乾蝕刻設備的開發」受獎機械振興協會賞通產大臣賞。
◎圖解乾蝕刻技術的原理與實務，讓你一讀即懂。
◎由製程直到設備、新技術，更進一步設置有關電漿損傷的章節，以便理解全貌並了解乾蝕刻今後的課題與展望。
針對半導體乾蝕刻技術涉及的電漿物理、化學、材料、電磁等複雜現象，循序解析，詳解各環節的連帶影響，提升現場即時應變的作戰能力，為優秀工程師養成必備的工具書！
非等向性蝕刻是如何實現？為何Si的蝕刻使用Cl2及HBr，而SiO2的蝕刻則使用氟碳系列的氣體？為何Poly-Si及Al的蝕刻使用ICP（電感耦合式電漿）之類的高密度電漿，而SiO2的蝕刻則使用中密度電漿於間距狹窄的平行板型蝕刻機？
本書告訴你這些連現場資深乾蝕刻工程師都不見得充分理解的知識。
從乾蝕刻技術的基礎講到應用，讓初學者容易理解與整理；對於已有程度、經驗的工程師而言，讀之更加能理解、掌握乾蝕刻技術的全貌。
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