本書為半導體製造技術的介紹，包括從晶體成長到形成積體元件與電路的製造過程中，所有主要步驟的理論與實作層面的重點。本書適合作為物理、化學、電機工程、化學工程和材料科學等系所之大四或碩一階段，一學期課程介紹積體電路製造技術的課本教材。亦可配合學校的實驗室進行相關實作教學，以及作為半導體產業界工程師與科學家的參考資料。
本書特色：
一、清楚解釋從晶體成長到形成積體元件與電路的製造過程中，所有主要步驟的理論與實作層面的重點。
二、加入2000年後的積體元件技術資訊，可讓讀者了解最新進展與趨勢。
三、各章穿插附有題解的範例，方便學生自修或教師教學使用。
四、各章皆列出學習目標與重要觀念的總結，並附習題為讀後作業。
在此修訂版中，我們修正與加入以下的資訊：
第一章──更新四張圖，並加入2000 年後新興製程與元件技術的發展。
第四章──更新一張圖，並加入浸潤式微影、雙重成像與極紫外線微影技術之資訊。
第五章──增加電漿內組成與性質的介紹，以及對蝕刻機制的描述。
第七章──增加對新式快速升溫技術的介紹。
第八章──更新二張圖，並加入矽鍺膜、選擇性磊晶、電鍍銅、原子層沉積與矽化鎳等技術之資訊。
第九章──更新六張圖，並加入金屬絕緣體金屬電容、形變通道、高介電閘氧層、取代金屬閘、鰭式場效電晶體等技術之資訊。
第十一章──更新四張圖，並加入元件微縮趨勢、微影技術發展、技術發展方向與瓶頸與三維積體電路技術的發展等資訊。
此外，每個章節也針對原版內容與目前發展狀況不相符，或描述略有不清楚的地方將以修正或改寫。
本書特色：
一、清楚解釋從晶體成長到形成積體元件與電路的製造過程中，所有主要步驟的理論與實作層面的重點。
二、加入2000年後的積體元件技術資訊，可讓讀者了解最新進展與趨勢。
三、各章穿插附有題解的範例，方便學生自修或教師教學使用。
四、各章皆列出學習目標與重要觀念的總結，並附習題為讀後作業。
在此修訂版中，我們修正與加入以下的資訊：
第一章──更新四張圖，並加入2000 年後新興製程與元件技術的發展。
第四章──更新一張圖，並加入浸潤式微影、雙重成像與極紫外線微影技術之資訊。
第五章──增加電漿內組成與性質的介紹，以及對蝕刻機制的描述。
第七章──增加對新式快速升溫技術的介紹。
第八章──更新二張圖，並加入矽鍺膜、選擇性磊晶、電鍍銅、原子層沉積與矽化鎳等技術之資訊。
第九章──更新六張圖，並加入金屬絕緣體金屬電容、形變通道、高介電閘氧層、取代金屬閘、鰭式場效電晶體等技術之資訊。
第十一章──更新四張圖，並加入元件微縮趨勢、微影技術發展、技術發展方向與瓶頸與三維積體電路技術的發展等資訊。
此外，每個章節也針對原版內容與目前發展狀況不相符，或描述略有不清楚的地方將以修正或改寫。