本書內容包含
化合物半導體技術路線圖 特刊目錄
1 GaN半導體產業趨勢
作者：國立陽明交通大學 張翼,何旻穎
1.1 GaN半導體元件發展史, 應用與技術發展趨勢
1.2 全球與台灣GaN半導體產業發展
2 GaN半導體材料
作者：鎵聯通科技 翁佑晨, 黃延儀
2.1 GaN 半導體材料特性
2.2 GaN半導體材料異質結構
2.3 GaN半導體材料磊晶技術
2.4 GaN 晶圓基板之發展
2.5 結語
3 GaN HEMT RF元件於通訊領域的應用
作者：國立陽明交通大學 涂永義，許恒通
3.1 5G行動通訊技術
3.2 GaN HEMT高頻功率放大器
3.3 GaN於Sub-6G
3.4 GaN 於mmW
3.5 後5G 之展望
4 GaN 功率元件之設計與應用
作者：國立陽明交通大學 吳佳勳，鍾錦翰
4.1 GaN HEMT功率元件概論
4.2 空乏型與增強型GaN HEMT元件
4.3 Cascode-GaN HEMT
4.4 P-GaN gate HEMT
4.5 GaN MIS-HEMT
4.6 增強型GaN元件技術比較與未來發展
5 GaN元件製程
作者：國立陽明交通大學 胡瀚，林群雄
5.1 前言
5.2 典型GaN HEMT 元件製程
5.3 CMOS相容製程之GaN on Si HEMT製程技術
5.4 垂直式GaN FET製程技術
6 GaN 功率元件可靠度分析
作者：國立陽明交通大學 吳添立，湯順偉，黃振鴻
6.1 前言
6.2 動態電阻 (Dynamic RON)
6.3 正向偏壓溫度不穩定性 (Positive Bias Temperature Instability)
6.4 偏壓依時間性崩潰 (Time Dependent Breakdown)
6.5 其他
6.6 結論
7 碳化矽半導體材料發展及未來應用
作者：青淨光能 李大青,台灣科技大學 張妤敬
7.1 碳化矽半導體材料發展歷史
7.2 碳化矽半導體材料特性
7.3 碳化矽半導體元件種類
7.4 結論
8 新興氧化鎵Ga2O3功率半導體之發展現況
作者：國立陽明交通大學　洪瑞華、澹台富國
8.1 新興氧化鎵Ga2O3功率半導體之材料特性
8.2 晶圓基板與磊晶發展
8.3 氧化鎵元件特性與應用
8.4 結論
9 化合物半導體晶圓檢測技術之發展現況與展望
作者：國立陽明交通大學 連德軒、陳柏智、南方科技　陳怡然、國家實驗研究院 陳仕誠、矽菱企業　王振展
9.1 前言
9.2 晶圓缺陷對元件的影響
9.3 晶圓檢測技術發展
9.4 新式光學檢測技術
10 結語
跋：PIDA偕同產官學研共同推動化合物半導體產業蓬勃發展
11 附錄：全球化合物半導體產業地圖